AI요약

고집적 반도체 및 커패시터 소자 개발은 기존 고유전 산화막의 한계에 직면하고 있습니다. 특히 10nm 이하의 미세 공정에서는 높은 누설전류와 불안정한 계면 특성으로 인해 새로운 고유전 소재가 필수적입니다. 본 기술은 유전상수가 10 이상인 비정질 탄화수소 기반의 혁신적인 고유전막을 제시합니다. 이 고유전막은 기존 산화막 대비 월등히 높은 유전상수(최대 90 이상), 극히 낮은 누설전류(1 A/㎠ 이하), 그리고 탁월한 절연강도(1 MV/㎠ 이상)를 자랑합니다. 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 공정 제어를 통해 균일하고 매끄러운 박막 형성이 가능하며, 직접 성장 방식으로 제조 공정 효율성까지 높입니다. 이를 통해 차세대 고집적 반도체 소자의 성능을 획기적으로 향상시키고, 기억소자, 논리소자, 커패시터 등 다양한 응용 분야에서 반도체 산업의 발전을 이끌 수 있습니다.