AI요약

메모리 회로와 같은 정밀 시스템에서 미세한 입력 전압 차이를 정확하게 감지하는 것은 매우 중요합니다. 기존 기술로는 이러한 미세 전압 차이 감지에 어려움이 있거나, 소자 간 미스매치로 인해 오프셋 전압이 발생하여 감지 정확도가 저하될 수 있습니다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위해 개발되었습니다. 본 발명의 전류 래치 감지 증폭기는 두 입력 전압 간의 미세한 크기 차이를 큰 출력 신호로 증폭하여 보다 명확하게 감지하도록 지원합니다. 특히, PMOS와 NMOS 기반의 CMOS 인버터 구조와 최적화된 제어부 설계를 통해 소자 미스매치로 인한 오프셋 전압을 효과적으로 줄여 감지 정확도를 극대화합니다. 이로써 메모리 데이터 판독은 물론, 다양한 전기 소자에서 안정적이고 신뢰도 높은 전압 감지 성능을 제공하여 시스템 전반의 효율성을 향상시킬 수 있습니다.