오일권
오일권
소속
아주대학교 (전자공학과)
AI요약
아주대학교 지능형반도체공학과 오일권 조교수는 혁신적인 차세대 반도체 소자 및 재료 기술 개발을 선도하고 있습니다. 특히, 원자층 증착(ALD) 공정을 활용한 초박막 박막 형성 및 제어, 그리고 강유전체(Ferroelectrics) 특성 연구 분야에서 탁월한 성과를 창출하고 있습니다. 그의 연구는 비휘발성 메모리(Ferroelectric NAND, RRAM, PRAM) 및 차세대 트랜지스터(FeFET) 등 첨단 반도체 소자의 성능 향상과 안정성 확보에 기여하고 있습니다. 다수의 SCI급 논문을 통해 증명된 그의 연구는 국내외 반도체 산업 발전에 중요한 역할을 담당하고 있습니다.
기본 정보
| 연구자 프로필 |  |
| 연구자 명 | 오일권 |
| 직책 | 조교수 |
| 이메일 | ikoh@ajou.ac.kr |
| 재직 상태 | 재직 중 |
| 부서 학과 | 전자공학과 |
| 사무실 번호 | 0312192360 |
| 연구실 | 아주대학교 지능형반도체공학과 오일권 교수 연구실 |
| 연구실 홈페이지 | https://www.ajou.ac.kr/aisemi/faculty/faculty01.do |
| 홈페이지 | https://sdpl.ajou.ac.kr/29 |
| 소속 | 아주대학교 |
경력정보
| 회사명 | 아주대학교 |
| 재직기간 | 재직 중 |
| 담당업무 | 지능형반도체공학과·전자공학과 교수 - 새로운 비정질 준금속 나노 극초박막 물질 개발 연구 수행 |
중요 키워드
#상변화메모리#메모리소자#강유전체#반도체소자#반도체공정#SK하이닉스#산학협력#나노극초박막#나노물질#원자층증착#계면특성#비정질준금속#공동연구#차세대반도체#신금속물질
연구 분야
| 연구 1 | 차세대 반도체 소자 및 재료 기술 혁신 |
| 내용 | 오일권 교수 연구실은 혁신적인 차세대 반도체 소자 및 재료 기술 개발을 선도하며 미래 반도체 산업의 핵심 역량을 강화하고 있습니다. 특히, 원자층 증착(ALD) 공정을 활용한 초박막 박막 형성 및 정밀 제어 분야에서 독보적인 기술력을 보유하고 있습니다. 이 기술은 나노 극초박막 물질의 계면 특성을 최적화하여 반도체 소자의 성능과 신뢰성을 획기적으로 향상시킵니다. 또한, 강유전체(Ferroelectrics)의 물리적 특성 및 응용 연구를 통해 비휘발성 메모리(Ferroelectric NAND, RRAM, PRAM)와 차세대 트랜지스터(FeFET) 등 첨단 메모리 및 로직 소자의 개발에 기여하고 있습니다. 이러한 연구는 기존 반도체 소자의 한계를 극복하고, 저전력, 고속, 고집적 차세대 반도체 구현을 가능하게 합니다. 산학협력을 통해 SK하이닉스와 공동 연구를 수행하며 실제 산업 현장에서의 기술 적용 가능성을 검증하고 있으며, 다수의 SCI급 논문 발표를 통해 세계적인 연구 경쟁력을 입증하고 있습니다. 본 연구는 국내외 반도체 산업의 지속적인 발전에 중추적인 역할을 담당하며 새로운 기술 표준을 제시하고 있습니다. |
| 연구 2 | 원자층 증착(ALD) 기반 정밀 박막 및 미세 공정 |
| 내용 | 본 연구실은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 기술을 핵심 기반으로 하여 반도체 미세공정 기술 혁신을 이끌고 있습니다. ALD는 원자 단위의 정밀한 막 두께 제어와 우수한 균일성을 제공하여 차세대 반도체 소자 구현에 필수적인 기술입니다. 특히, 영역 선택적 원자층 증착(Area-Selective ALD) 기술 개발에 주력하며, 복잡한 3D 구조의 반도체 소자 제조에 최적화된 솔루션을 제공하고 있습니다. 전구체 설계의 역할 규명 및 분자 흡착 메커니즘 연구를 통해 ALD 공정의 근본적인 이해를 심화하고 효율성을 극대화하고 있습니다. 또한, 플라즈마 강화 원자층 증착(PE-ALD) 공정 중 VHF 플라즈마 소스를 활용하여 플라즈마 손상을 최소화하고 고품질 박막을 형성하는 기술을 개발하여 SiNx 등 핵심 재료 증착에 성공했습니다. 이러한 기술은 3D NAND 플래시 장치의 서브 7nm 멀티 패터닝 공정, 저온 금속 박막 증착 등 첨단 반도체 제조 공정의 수율과 성능을 향상시키는 데 기여하며, 관련 장비 설계 및 기술이전을 통해 산업적 파급 효과를 창출하고 있습니다. |
| 연구 3 | 비휘발성 및 상변화 메모리 소자 기술 |
| 내용 | 오일권 교수 연구실은 차세대 컴퓨팅 및 데이터 저장 기술의 핵심인 비휘발성 메모리 소자 분야에서 혁신적인 연구를 수행하고 있습니다. 특히, 강유전체 기반의 비휘발성 메모리(Ferroelectric NAND, FeFET) 연구를 통해 메모리 윈도우 최적화 및 읽기/쓰기 지연 시간 단축 등 소자 성능 향상에 기여하고 있습니다. 또한, 저항 변화 메모리(RRAM) 및 상변화 메모리(PRAM) 기술 개발에도 집중하며, 고집적, 고속, 저전력 특성을 갖는 차세대 메모리 소자 구현을 목표로 합니다. Ge2Sb2Te5 기반 초격자(superlattice) 상변화 메모리 개발을 통해 낮은 리셋 전류와 뛰어난 저항 드리프트 특성을 확보하는 등 세계적인 수준의 연구 성과를 달성했습니다. HfO2, ZrO2 등 신금속 물질의 계면 특성 분석 및 결정상 제어를 통해 메모리 소자의 열적 안정성과 내구성을 높이는 연구도 활발히 진행 중입니다. 이러한 연구는 미래 반도체 시장의 변화를 주도하고, 고성능 컴퓨팅, 인공지능, 빅데이터 등 다양한 응용 분야에서 핵심적인 역할을 할 것입니다. |
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